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HX2007-S

单相高端和低端功率MOSFET/IGBT驱动芯片

描述: HX2007-S是高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。该芯片具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容技术，可实现高低侧栅极驱动电路的单芯片集成。
品牌名称: ZHHXDZ(海芯电子)
商品型号: HX2007-S
商品编号: C19186048
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.26克(g)

商品参数

商品概述

HX2007-S 是一款高压、高速功率MOSFET 高低侧驱动芯片。该芯片具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺，使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。逻辑输入电平兼容低至3.3V 的CMOS 或LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。浮动通道可用于驱动高压侧N 沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。该芯片采用SOP-8 封装，可以在-40°C 至125°C 温度范围内工作。

商品特性

自举工作的浮地通道
最高工作电压：250V
兼容输入逻辑：3.3V、5V 和15V
VS 负偏压能力：-9V
dVS/dt 耐受能力：±50V/ns
栅极驱动电压范围：10V 至20V
防直通死区逻辑
死区时间设定：520ns
芯片传输延时特性
开通/关断传输延时：ton/toff = 160ns/150ns
延迟匹配时间：30ns
集成欠压锁定电路
欠压锁定正向阈值：8.9V
欠压锁定负向阈值：8.2V
宽温度范围：-40°C 至125°C
输出级拉电流/灌电流能力：290mA/600mA
封装类型：SOP-8

应用领域

微型逆变器驱动
电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
MOSFET/IGBT 驱动芯片

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	灌电流(IOL)	600mA
	拉电流(IOH)	290mA

	属性	参数值
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	70ns
	下降时间(tf)	30ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃