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CMD3P50
1个P沟道 耐压:500V 电流:2A
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- 描述
- 这款功率MOSFET采用Cmos先进的平面条形DMOS技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合基于互补半桥的电子灯镇流器
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD3P50
- 商品编号
- C19077050
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- 采用CRM（CQ）先进沟槽技术
- 极低的导通电阻RDS（on）
- 出色的Qg × RDS（on）乘积（品质因数FOM）
- 符合JEDEC标准
应用领域
- 电机控制与驱动
- 电池管理
- 不间断电源（UPS）