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CMF12N65A

1个N沟道耐压:650V 电流:12A

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描述: 使用先进的平面条纹 DMOS 技术，具有出色的 RDS(ON) 和卓越的开关性能，能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。适用于高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
品牌名称: Cmos(广东场效应半导体)
商品型号: CMF12N65A
商品编号: C19077053
商品封装: TO-220F
包装方式: 管装
商品毛重: 2.8175克(g)

商品参数

12N65A采用先进的平面条纹DMOS技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。