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CMSC1653B
1个N沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- CMSC1653B旨在提供一个高效同步降压功率级，能实现最佳布局和电路板空间利用。该器件非常适合用于紧凑型DC/DC转换器应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC1653B
- 商品编号
- C19077056
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0705克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1nF |
商品概述
CS18N20 A8R是一款采用自对准平面技术的硅N沟道增强型VDMOSFET，可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220AB，符合RoHS标准。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 高电流承载能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 计算机、服务器和负载点(POL)中的DC/DC转换器
- 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器
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