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CMSC6354
1个N沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- CMSC6354采用先进的工艺技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC6354
- 商品编号
- C19077057
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.062克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品特性
- N沟道
- 增强型静电放电（ESD）能力
- 耗尽型
- 额定dv/dt
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 无卤
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