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CMP32N20P
1个N沟道 耐压:200V 电流:32A
- 描述
- 这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用Cmos专有的平面条形DMOS技术制造。这项先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低。这些器件非常适合用于高效开关式DC/DC转换器、开关电源、不间断电源用DC-AC转换器以及电机控制
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP32N20P
- 商品编号
- C19077055
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7235克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 83nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用Cmos专有的平面条形DMOS技术制造。这种先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低。 这些器件非常适合用于高效开关式DC/DC转换器、开关电源、不间断电源的DC-AC转换器以及电机控制。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-不间断电源(UPS)-逆变器-照明
- CMSC1653B
- CMSC6354
- MBR10200CT
- CJ5143-ALC
- TG-3541CE 32.7680KXA0
- DF56-50S-0.3V(51)
- X3500WVS-24A-LPV01
- X3500FVS-24A-LPV01
- X0408WVS-24A-LPV01
- X0408WVS-30A-LPV01
- X0408WVS-50A-LPV01
- X0408WVS-60A-LPV01
- X0408WVS-70A-LPV01
- X0408WVS-80A-LPV01
- X0408WVS-90A-LPV01
- TSM-107-01-T-SH-A
- MF01SFF2003A10
- 1206CS-122XGLC
- PFL3215-222MEC
- dsPIC33CK1024MP710-I/PT
- WAFER-WTB4.2-14PZZ