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NCE40P40D-VB
1个P沟道 耐压:40V 电流:60A
- 描述
- TO263；P—Channel沟道,-40V；-60A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NCE40P40D-VB
- 商品编号
- C18795020
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 12.8mΩ@10V |
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