IPB80N06S2L-07-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:150A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应管,具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。TO263;N—Channel沟道,60V;150A;RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPB80N06S2L-07-VB
- 商品编号
- C18795028
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.43克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
连续漏极电流(Id) | 150A | |
导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V |
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1+¥3.434¥4.04
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