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IPB80N06S2L-07-VB实物图
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IPB80N06S2L-07-VB

1个N沟道 耐压:60V 电流:150A

    描述
    台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应管,具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。TO263;N—Channel沟道,60V;150A;RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
    商品型号
    IPB80N06S2L-07-VB
    商品编号
    C18795028
    商品封装
    TO-263
    包装方式
    管装
    商品毛重
    3.43克(g)

    商品参数

    属性参数值
    商品目录场效应管(MOSFET)
    类型1个N沟道
    漏源电压(Vdss)60V
    属性参数值
    连续漏极电流(Id)150A
    导通电阻(RDS(on))4mΩ@10V

    数据手册PDF

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