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SI4874DY-T1-E3-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:12A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI4874DY-T1-E3-VB商品编号
C18795029商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 12mΩ@10V |
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