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CEU6186-VB

1个N沟道 耐压:60V 电流:45A

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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应管,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用的需求,适用于设计稳定可靠的电源供应模块、电动工具、电动车控制器、LED照明等领域。TO252;N—Channel沟道,60V;45A;RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
商品型号
CEU6186-VB
商品编号
C18795031
商品封装
TO-252
包装方式
编带
商品毛重
0.36克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
属性参数值
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))24mΩ@10V

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