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2SJ505S-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

2SJ505S-VB

1个P沟道 耐压:60V 电流:110A

描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管,采用Trench工艺,适用于DC-DC转换器、电源开关模块等领域。TO263;P—Channel沟道,-60V;-110A;RDS(ON)=6.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;
商品型号
2SJ505S-VB
商品编号
C18795021
商品封装
TO-263(D2PAK)​
包装方式
管装
商品毛重
3.565克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)110A
导通电阻(RDS(on))8.5mΩ@4.5V,20A
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))3V@0.25mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)240nC@10V
输入电容(Ciss)9.2nF
反向传输电容(Crss)760pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)975pF

商品特性

  • 无卤
  • 沟槽功率MOSFET
  • 针对高端同步整流器操作进行优化
  • 100% Rq测试
  • 100% UIS测试

应用领域

  • 笔记本电脑CPU核心
  • 高端开关

数据手册PDF