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UTT150N03L-TA3-T-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:70A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于电源模块、电动汽车控制器、工业自动化等领域。TO220；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- UTT150N03L-TA3-T-VB
- 商品编号
- C18794984
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.775克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单