UTT150N03L-TA3-T-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:70A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单通道N沟道场效应晶体管(单N),采用Trench工艺制造。适用于电源模块、电动汽车控制器、工业自动化等领域。TO220;N—Channel沟道,30V;70A;RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- UTT150N03L-TA3-T-VB
- 商品编号
- C18794984
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.775克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
连续漏极电流(Id) | 70A | |
导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V |
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