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SI7403BDN-T1-GE3-VB
1个P沟道 耐压:12V 电流:25A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench技术，能够满足不同应用场景下的功率管理和电路控制需求。QFN8(3X3)；P—Channel沟道,-12V；-25A；RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V；Vth=-0.5~-1.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7403BDN-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C18794993
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.22nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 555pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 865pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET® 功率 MOSFET
- 超小型 DFN3x3 芯片级封装,可减小占位面积、封装高度(0.62 mm)和单位占位面积的导通电阻
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
-功率放大器开关-电池开关-负载开关