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ME4413D-VB
1个P沟道 耐压:12V 电流:13A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench技术，适用于需要高效能、稳定性和可靠性的电源管理、开关控制和功率放大等应用。SOP8；P—Channel沟道,-12V；-16A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V；Vth=-0.5~1V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
ME4413D-VB商品编号
C18795002商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7mΩ@4.5V |
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