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ME4413D-VB
1个P沟道 耐压:12V 电流:13A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench技术，适用于需要高效能、稳定性和可靠性的电源管理、开关控制和功率放大等应用。SOP8；P—Channel沟道,-12V；-16A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V；Vth=-0.5~1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- ME4413D-VB
- 商品编号
- C18795002
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@1.8V,13A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@600uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个4000个/圆盘
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