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SDP10N06-VB
1个N沟道 耐压:650V 电流:8A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，适用于各种要求高功率开关和电源管理的场合。TO220；N—Channel沟道,650V；10A；RDS(ON)=840mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SDP10N06-VB
- 商品编号
- C18795006
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 840mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 106W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 230pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
优惠活动
购买数量
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