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P3056LSG-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要较高功率和电流的应用场合，能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。TO263；N—Channel沟道,30V；50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- P3056LSG-VB
- 商品编号
- C18794992
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.57克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V,37A | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.201nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 255pF |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
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