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IRLU014PBF-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:25A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较大的电压容忍度，可提供良好的电路灵活性。适用于电源模块、电机驱动模块、工业控制模块和电源管理模块等领域。TO251；N—Channel沟道,60V；35A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRLU014PBF-VB商品编号
C18794983商品封装
TO-251包装方式
管装
商品毛重
1.57克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 32mΩ@10V |
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