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AUP060N055
1个N沟道 耐压:55V 电流:125A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻: -TO252 RDS(ON) = 4mΩ（典型值）。DFN5X6 RDS(ON) = 3.6mΩ（典型值）。TO263 & TO220 RDS(ON) = 4.3mΩ（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.5 至 4.5 V。应用：单端反激或双晶体管正激拓扑。 PC电源
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- AUP060N055
- 商品编号
- C18722992
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.748克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.803nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 124.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.416nF |
商品特性
- 低漏源导通电阻:
- TO252封装:RDS(ON) = 4mΩ(典型值)
- DFN5X6封装:RDS(ON) = 3.6mΩ(典型值)
- TO263和TO220封装:RDS(ON) = 4.3mΩ(典型值)
- 易于控制栅极开关
- 增强型:Vth = 2.5至4.5V
应用领域
- 单端反激或双晶体管正激拓扑。
- 电脑电源、PD适配器、液晶和等离子电视以及LED照明。