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AUN050N08BGL实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AUN050N08BGL

1个N沟道 耐压:85V 电流:65A

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描述
特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 4.9mΩ(典型值)。 易于控制栅极开关。 增强模式:Vth = 1.2 至 2.5V。应用:单端反激或双晶体管正激拓扑。 PC电源
品牌名称
ANHI(安海)
商品型号
AUN050N08BGL
商品编号
C18723005
商品封装
DFN5x6-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.241212克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)85V
连续漏极电流(Id)65A
导通电阻(RDS(on))5mΩ@10V
耗散功率(Pd)151W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)63.7nC@10V
输入电容(Ciss)4.553nF
反向传输电容(Crss)107.1pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.215nF

商品特性

  • 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 4.9 mΩ(典型值)
  • 栅极开关易于控制
  • 增强型:Vth = 1.2 至 2.5 V

应用领域

-单端反激或双晶体管正激拓扑-电脑电源、PD 适配器、液晶与等离子电视及 LED 照明

数据手册PDF