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AUN050N08BGL
1个N沟道 耐压:85V 电流:65A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.9mΩ（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 1.2 至 2.5V。应用：单端反激或双晶体管正激拓扑。 PC电源
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- AUN050N08BGL
- 商品编号
- C18723005
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.241212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 151W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.553nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 107.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.215nF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 结温175°C
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 隔离式DC/DC转换器
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