商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 76A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.729nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.13nF |
商品概述
该器件采用了先进的沟槽技术，在保持低导通电阻的同时，具有低栅极电荷的特点。该器件针对开关应用进行了优化，可提高 DC/DC 转换器的整体效率，并允许在更高的开关频率下工作。
商品特性
- 专有新型沟槽技术
- 快速恢复体二极管
- 低栅极电荷,可最大限度降低开关损耗
- 符合RoHS标准
应用领域
- 同步整流
- 电源管理
- 负载开关