AUP039N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:125A
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- 描述
- 特性:低漏源导通电阻。 DFN5x6封装的RDS(ON) = 3.3mΩ(典型值)。 TO220、220F和263封装的RDS(ON) = 3.6mΩ(典型值)。 易于控制栅极开关。 增强模式:Vth = 1.2至2.5V。应用:单端反激或双晶体管正激拓扑。 PC电源
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- AUP039N10
- 商品编号
- C18722994
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.775025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 151W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.562nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 83pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 865pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻:DFN5x6 RDS(ON) = 3.3mΩ (typ.);TO220/8220F/8263 PDS(ON) = 3.6mΩ (typ.)
- 易于控制栅极开关
- 增强模式:Vth = 1.2 至 2.5 V
应用领域
- 单端反激或双晶体管正激拓扑
- PC电源、PD适配器
- LCD & PDP电视
- LED照明
优惠活动
购买数量
(50个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个50个/管
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