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ASD80R750E
1个N沟道 耐压:800V 电流:8.5A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻。 RDS(ON) = 620mΩ（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2V。应用：单端反激或双晶体管正激拓扑。 PC电源
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- ASD80R750E
- 商品编号
- C18722989
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49484克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850.8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.92pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34.4pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率MOSFET采用先进的沟槽技术设计，具备出色的导通电阻（Rdson）和低栅极电荷，符合RoHS标准。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 快速开关
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
- 100% ΔVDS测试
应用领域
- 功率开关应用-逆变器管理系统-电动工具-汽车电子