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NCE60P04Y-JSM
1个P沟道 耐压:60V 电流:4.3A
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- 描述
- 广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效能、稳定可靠的功率控制。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- NCE60P04Y-JSM
- 商品编号
- C18221465
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.135nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
商品特性
- -60V、-4.3A,在VGS = -10V时,RDS(ON) = 96 mΩ
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 165 mΩ
- 采用高密单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 坚固可靠
应用领域
- 开关应用-电机控制与驱动-电池管理