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IRF9Z24N(UMW)
P沟道 耐压:55V 电流:12A
- 描述
- MOS管
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRF9Z24N(UMW)
- 商品编号
- C18207548
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 2.684克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 175mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
TO-220封装因其通用性，在所有商业和工业应用中，在功耗水平达到约50瓦时均被广泛采用。
商品特性
- V_DS(V) = -55V
- I_D = -12A
- R_DS(ON) < 175mΩ (V_GS = -10V)