温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AO4468(UMW)
N沟道 耐压:30V 电流:10.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的导通电阻RDS(ON)。 VDS(V) = 30V。 ID = 10.5A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 17mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 23mΩ (VGS = 4.5V)。应用：负载开关。 电池保护
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO4468(UMW)
- 商品编号
- C18207552
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.201167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 888pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |