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IPD082N10N3G(UMW)
1个N沟道 耐压:100V 电流:80A
- 描述
- MOS管
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IPD082N10N3G(UMW)
- 商品编号
- C18207554
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.633886克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V@75uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.99nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 523pF |