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CMSA055N04
1个N沟道 耐压:40V 电流:80A
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- 描述
- CMSA055N04采用先进的SGT技术，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。此器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA055N04
- 商品编号
- C18198750
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@4.5V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1nF |
商品概述
CMSC12NP04是具有高单元密度的高性能沟槽式N沟道和P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
商品特性
~~- N沟道+P沟道-低导通电阻-表面贴装封装-符合RoHS标准
应用领域
- 同步整流-大电流、高速开关-便携式设备应用