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IRL3803S
1个N沟道 耐压:30V 电流:160A
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- 描述
- 3803 是具有极高单元密度的 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- IRL3803S
- 商品编号
- C18198755
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.6435克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 210W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 580pF | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 680pF |
商品概述
APM9948KC-TRL 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适合低压应用、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。
商品特性
- 60V/6.3A，RDS(ON) = 30mΩ（典型值）@VGS = 10V
- 60V/5.0A，RDS(ON) = 37mΩ（典型值）@VGS = 4.5V
- 针对极低 RDS(ON) 进行的超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合 RoHS 标准
- SOP8 封装设计
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备
- DC/DC 转换器
- 负载开关
- 数码单反相机
- LCD 显示器逆变器