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CMSC3812A
2个N沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- CMSC3812A采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。这两个MOSFET构成了一个紧凑高效的开关与同步整流器组合，适用于降压转换器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC3812A
- 商品编号
- C18198754
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@0.25mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个5000个/圆盘
总价金额：
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