温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMSC12NP04
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 耐压:40V 电流:12A 电流:20A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 是高性能沟槽N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC12NP04
- 商品编号
- C18198752
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.071克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 24W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
3N90A采用先进的平面条纹DMOS技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。这些器件非常适合用于高效率开关模式电源。
商品特性
-N沟道+P沟道-低导通电阻-表面贴装封装-符合RoHS标准
应用领域
-同步整流-大电流、高速开关-便携式设备应用
相似推荐
其他推荐