FDD3670-JSM
1个N沟道 耐压:100V 电流:36A
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- 描述
- 适用于高电压、大电流电子设备的电源转换和电机控制等应用，提供稳定可靠的高性能开关解决方案。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- FDD3670-JSM
- 商品编号
- C18194837
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 71W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计,可在低栅极电荷条件下实现出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 100 V,漏极电流(ID) = 36 A,当栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 20 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
- 封装散热性能良好
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