商品概述

UCC27323是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。UCC27323在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，UCC27323不会受到损坏。UCC27323可以接受高达500mA的反向电流强制返回其输出，而不会造成损坏或逻辑混乱。所有端子均受到高达2.0 kV静电放电(ESD)的全面保护。UCC27323采用SOIC8封装，可以在-40℃~125℃温度范围内工作。UCC27323是超高速、大电流功率芯片驱动器，在对功率开关的栅极进行充放电时，它具有匹配的上升和下降时间。UCC27323在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，UCC27323不会受到损坏。UCC27323可以接受高达500mA的反向电流强制返回其输出，而不会造成损坏或逻辑混乱。UCC27323信号输入端口（INA、INB）采用电平触发模式，即电压值符合逻辑要求，芯片即可正常工作。UCC27323包含有两路独立的信号输入端口用于接收来自主控的控制信号，不会发生互相干扰。这两个端口设计有高度的可靠性，即使发生500mA的反向电流强制返回其输出，也不会造成损坏或逻辑混乱。信号输入端口同时具备了直接处理-10V电压的能力，在较大的噪声波形影响下仍然能保证芯片的安全工作，增加了芯片的稳定性。UCC27323的信号输入端口有对GND的上拉电阻，建议在不使用时将该端口与GND短接。UCC27323输出与输入反相，可以用于驱动P型或者N型MOSFET。每个输出端口都能提供峰值为4A的上拉或者下拉电流，其高速大电流的特点可以用于驱动高频应用设计中的MOSFET。UCC27323的高速大电流特性可以用于高频电源等应用场景。其典型应用有，主控IC的PWM输出级功率往往不足以驱动功率端的MOSFET，因此与MOSFET之间需要一个大功率的驱动级芯片用于驱动MOSFET的栅极电压，这样才能保证MOSFET工作在一个稳定状态。

商品特性

锁存保护：可承受0.5A反向电流
低至-10V的输入逻辑保护
输出阻抗低
单芯片集成两路驱动
两路都有独立的使能端口控制
输出峰值电流：4A
工作范围：4.5V~25V
高电容负载驱动能力：在1nF负载时，开关时间<25ns
上升/下降时间匹配
传播延时：40ns
宽温度范围：-40℃~125℃
芯片开通/关断延时特性：Ton/Toff =70ns/70ns
符合RoSH标准SOIC8

应用领域

交换式电源、开关变换器
线路驱动器
脉冲变压器驱动
驱动MOSFET和IGBT
电机控制
脉冲发生器
电源开关
DC-DC转换器
D类开关放大器

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	4A
	工作电压	4.5V~20V
	上升时间(tr)	30ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	30ns
	传播延迟 tpLH	70ns
	传播延迟 tpHL	70ns
	特性	-
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	2.4V
	输入低电平(VIL)	800mV
	静态电流(Iq)	-

UCC27323DR-JSM

商品参数

商品概述

商品特性

应用领域

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