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IR2128STRPBF-JSM
300V带过流检测的单通道高侧栅极驱动芯片
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- 描述
- 应用于电机控制和驱动，电动汽车快速充电。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IR2128STRPBF-JSM
- 商品编号
- C18194994
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.106克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 600mA | |
| 拉电流(IOH) | 300mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 80ns | |
| 下降时间(tf) | 40ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过流保护(OCP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 60uA | |
| 功能特性 | 内置自举二极管；过流保护 |
商品概述
该产品是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧 MOSFET/IGBT 驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的 FAULT 端口输出错误信号。其浮动通道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 300V。采用 SOIC8 封装，可以在 -40℃ 至 125℃ 温度范围内工作。
商品特性
- 集成自举二极管
- 最高工作电压为 +300V
- 兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑
- dVs/dt 耐受能力可达 ±50 V/ns
- Vs 负偏压能力达 -5V
- 输入输出同相位
- 栅极驱动电压从 12V 到 20V
- 集成欠压锁定电路，欠压阈值 9V/10.3V
- 芯片传输延时特性，开通/关断传输延时 Ton/Toff = 150ns/150ns
- 宽温度范围 -40℃ ~ 125℃
- Fault 引脚故障输出
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 电机控制和驱动
- 机器人技术
- 电动汽车
- 快速充电