AP9962GM-JSM
2个N沟道 耐压:60V 电流:6.3A
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- 描述
- 应用于便携式设备负载开关、DC/DC转换器。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AP9962GM-JSM
- 商品编号
- C18194457
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V,6.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 80A，在VGS = 10V时，RDS(ON) < 5.5mΩ
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 封装散热性能出色
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