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IRF7828TRPBF-JSM
1个N沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- 适用于各类小型电子设备，提供高效、稳定的开关与功率转换性能。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRF7828TRPBF-JSM
- 商品编号
- C18194662
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.132克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.47nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 325pF |
商品概述
STM6962是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。
商品特性
- 30V/15A,VGS = 10V时,RDS(ON) = 8.5mΩ(典型值)
- 30V/11A,VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 14mΩ(典型值)
- 专为极低的RDS(ON)进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOP8封装设计
应用领域
-高频负载点同步-网络直流-直流电源系统-负载开关