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STM4952-JSM
2个P沟道 耐压:30V 电流:9.5A
- 描述
- 便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- STM4952-JSM
- 商品编号
- C18194663
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.004nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 154pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 204pF |
商品概述
TPC8205是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。
商品特性
- -30V/-9.5A
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) = 15mΩ(最大值)
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 22mΩ(最大值)
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
-笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。