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SI4532CDY-T1-GE3-JSM
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:6.8A
- 描述
- 应用于电源转换、电机驱动等场合，提供卓越的开关性能和稳定可靠的功率管理方案。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SI4532CDY-T1-GE3-JSM
- 商品编号
- C18194647
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
DMC3021LSD采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，以及用于许多其他应用。
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合欧盟RoHS指令2002/95/EC
- 符合RoHS标准
应用领域
-电机驱动-移动电源