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TK7S10N1Z-JSM
1个N沟道 耐压:100V 电流:36A
- 描述
- 专为中高压环境下消费电子设备的电源管理而设计，实现高效、稳定的开关控制，是优化系统性能的理想半导体元件。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- TK7S10N1Z-JSM
- 商品编号
- C18194575
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.695克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合欧盟RoHS指令2002/95/EC
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电机驱动-移动电源
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