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SMG2339P-JSM
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.3A
- 描述
- 适用于DC-DC转换、低电压电源开关及负载控制应用，提供低导通电阻和出色的性能表现，是现代电子设备的理想功率管理组件。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SMG2339P-JSM
- 商品编号
- C18191483
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SMG2339P是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。这种高密度工艺特别针对降低导通电阻进行了优化。这些器件特别适用于低电压应用，且在非常小尺寸的表面贴装封装中需要低在线功率损耗的场景。
商品特性
- -30V / -4.3A,RDS(ON) = 44mΩ(典型值)@ VGS = -10V
- -30V / -3.5A,RDS(ON) = 50mΩ(典型值)@ VGS = -4.5V
- -30V / -2.5A,RDS(ON) = 65mΩ(典型值)@ VGS = -2.5V
- 为极低的\mathsfRDS(ON)进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23-3封装设计
应用领域
-电源管理-便携式设备-DC/DC转换器-负载开关-数码相机-LCD显示器逆变器
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