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商品参数
参数完善中
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 30V/8A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) = 17 mΩ(最大值)
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 24 mΩ(最大值)
- 可靠耐用
- 提供无铅和环保器件(符合RoHS标准)
- 100%进行UIS测试
应用领域
-笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理
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