SP8K1TB-JSM
SP8K1TB-JSM
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- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SP8K1TB-JSM
- 商品编号
- C18191484
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 780pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 30V/8A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) = 17 mΩ(最大值)
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 24 mΩ(最大值)
- 可靠耐用
- 提供无铅和环保器件(符合RoHS标准)
- 100%进行UIS测试
应用领域
-笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理