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SSC8035GS6-JSM
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.3A
- 描述
- 适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON)，使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SSC8035GS6-JSM
- 商品编号
- C18191523
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@2.5V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 672pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
SSC8033GS6是采用高单元密度先进沟槽技术制造的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺专门设计用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，并且在非常小尺寸的表面贴装封装中需要低线路功率损耗。
商品特性
- -30V / -4.3A，VGS = -10V时，RDS(ON) = 44mΩ（典型值）
- -30V / -3.5A，VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 50mΩ（典型值）
- -30V / -2.5A，VGS = -2.5V时，RDS(ON) = 65mΩ（典型值）
- 针对极低RDS(ON)的超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23 - 3封装设计
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 数字信号控制器
- LCD显示器逆变器