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SPN2054T252RG-JSM
1个N沟道 耐压:30V 电流:55A
- 描述
- 便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SPN2054T252RG-JSM
- 商品编号
- C18191491
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
SI9943DY-T1采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，还可用于许多其他应用。
商品特性
- N沟道
- VDS = 40V，ID = 8.0A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 22mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 31mΩ
- P沟道
- VDS = -40V，ID = -7.0A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 35mΩ
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 48mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装