温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SSC8033GS6-JSM
SSC8033GS6-JSM
- 描述
- 适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON)，使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SSC8033GS6-JSM
- 商品编号
- C18191522
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
SSC8033GS6是采用高单元密度先进沟槽技术制造的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺专门设计用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用,并且在非常小尺寸的表面贴装封装中需要低线路功率损耗。
商品特性
- -30V / -4.3A,VGS = -10V时,RDS(ON) = 44mΩ(典型值)
- -30V / -3.5A,VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 50mΩ(典型值)
- -30V / -2.5A,VGS = -2.5V时,RDS(ON) = 65mΩ(典型值)
- 针对极低RDS(ON)的超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23 - 3封装设计
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 数字信号控制器
- LCD显示器逆变器