温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RU20P3B-JSM
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
- 描述
- 应用于便携式设备负载开关、DC/DC转换器。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- RU20P3B-JSM
- 商品编号
- C18191275
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 989pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 167pF |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET可降低功率损耗、节约能源，使其非常适合用于小型电源管理电路。
商品特性
- -20V / -4.3A,RDS(ON) = 30mΩ(典型值)@VGS = -4.5V
- -20V / -3.5A,RDS(ON) = 40mΩ(典型值)@VGS = -2.5V
- -20V / -2.0A,RDS(ON) = 56mΩ(典型值)@VGS = -1.8V
- -20V / -1.0A,RDS(ON) = 85mΩ(典型值)@VGS = -1.5V
- 为极低的RDS(ON)进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23 - 3封装设计
- P沟道
应用领域
-电源管理-便携式设备-DC/DC转换器-负载开关-数码相机-LCD显示器逆变器
相似推荐
其他推荐
- RU20P4C-JSM
- RU60E25L-JSM
- SFT1443-JSM
- SI2301ADS-T1-JSM
- SI2301BDS-T1-GE3-JSM
- SI2301CDS-T1-JSM
- SI2301DS-T1-GE3-JSM
- SI2305ADS-T1-GE3-JSM
- SI2305DS-T1-GE3-JSM
- SI2307DS-JSM
- SI2318CDS-T1-GE3-JSM
- SI2318DS-T1-GE3-JSM
- SI2319CDS-T1-GE3-JSM
- SI2319DS-T1-GE3-JSM
- SI2323CDS-T1-GE3-JSM
- SI2323DDS-T1-GE3-JSM
- SI2333DDS-T1-JSM
- SI2333DS-T1-GE3-JSM
- SI2335DS-T1-JSM
- Si2338DS-T1-GE3-JSM
- SI2347DS-JSM