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SI2319CDS-T1-GE3-JSM
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.3A
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- 描述
- 适用于电池管理，高速开关，低功率 DC-DC 转换。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SI2319CDS-T1-GE3-JSM
- 商品编号
- C18191323
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 672pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
SI2305DS-T1-GE3是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，并且在非常小尺寸的表面贴装封装中需要低在线功率损耗的场景。
商品特性
- -30V / -4.3A,VGS = -10V 时,RDS(ON) = 44mΩ(典型值)
- -30V / -3.5A,VGS = -4.5V 时,RDS(ON) = 50mΩ(典型值)
- -30V / -2.5A,VGS = -2.5V 时,RDS(ON) = 65mΩ(典型值)
- 为极低的 RDS(ON) 进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合 RoHS 标准
- SOT23-3 封装设计
应用领域
-电源管理-便携式设备-DC/DC 转换器-负载开关-数码相机-LCD 显示器逆变器
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