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Si2399DS-T1-JSM
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
- 描述
- 为高效电源开关、电池保护和负载管理应用设计，具备低导通电阻及卓越的开关性能，是各类中低压电路的理想选择，有效提升系统能效并确保稳定运行。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- Si2399DS-T1-JSM
- 商品编号
- C18191342
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 989pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 167pF |
商品概述
SI4562DY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，以及其他多种应用。
商品特性
- -20V/-4.3A,RDS(ON) = 30mΩ(典型值)@VGS=-4.5V
- -20V/-3.5A,RDS(ON) = 40mΩ(典型值)@VGS = -2.5V
- -20V/-2.0A,RDS(ON) = 56mΩ(典型值)@VGS = -1.8V
- -20V/-1.0A,RDS(ON) = 85mΩ(典型值)@VGS = -1.5V
- 专为极低的RDS(ON)进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23-3封装设计
- P沟道
应用领域
-电源管理-便携式设备-DC/DC转换器-负载开关-数码相机-LCD显示器逆变器