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商品参数
参数完善中
商品概述
这款采用沟槽 DMOS 技术的封装器件集成了两个 -30V P 沟道增强型功率场效应晶体管。该先进技术经过特殊设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- VDS = -30V
- ID = -9A(VGS = -10V 时)
- Rds(on) = 14mΩ(典型值,VGS = -10V 时)
- Rds(on) = 19mΩ(典型值,VGS = -4.5V 时)
- 开关速度快
- 高功率和电流处理能力
- 封装:SOP-8L
- 提供无铅和环保器件
应用领域
- 负载点(POL)应用
- 负载开关
- LED 应用