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SI4532ADY-T1-JSM
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:8A
- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SI4532ADY-T1-JSM
- 商品编号
- C18191386
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 112pF |
商品特性
- -30V/-6.5A
- 当VGS = -10V时，RDS(ON) = 36mΩ（典型值）
- 当VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 50mΩ（典型值）
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）
- 静电放电保护
应用领域
- 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理