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SI4816BDY-T1-JSM
2个N沟道 耐压:30V 电流:8.8A
- 描述
- 广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效能、稳定可靠的功率控制。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SI4816BDY-T1-JSM
- 商品编号
- C18191395
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.424nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 111pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 30V/8.8A
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) = 11.5 mΩ(最大值)
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 14 mΩ(最大值)
- 经过100%单脉冲雪崩耐量+栅极电阻测试
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
- 汽车充电器
- 笔记本电脑电源管理
- 电池供电系统
- DC/DC转换器
- 负载开关