SI2323CDS-T1-GE3-JSM

RU20P3B是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，且在非常小外形的表面贴装封装中需要低在线功率损耗的场景。

• -20V / -4.3A，RDS(ON) = 30mΩ（典型值）@VGS = -4.5V
• -20V / -3.5A，RDS(ON) = 40mΩ（典型值）@VGS = -2.5V
• -20V / -2.0A，RDS(ON) = 56mΩ（典型值）@VGS = -1.8V
• -20V / -1.0A，RDS(ON) = 85mΩ（典型值）@VGS = -1.5V
• 为极低的RDS(ON)进行超高设计
• 出色的导通电阻和最大直流电流能力
• 完全符合RoHS标准
• SOT23 - 3封装设计
• P沟道

• 电源管理-便携式设备-DC/DC转换器-负载开关-数码相机-LCD显示器逆变器